工藝類：
Al-Cu-Si鋁硅銅：其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁1%硅.后來為了金屬電荷遷移現象（Electromigration）故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移。
Alloy合金（ALSI）：半導體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強Al與SiO2間interface的緊密度，故進行Alloy步驟，以450℃作用30min，增加Al與Si的緊密程度，防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值，使RC的值盡量減少。
Anneal回火：激活雜質、消除損傷
atoms：原子
Bake：烘烤，芯片置于稍高溫(60℃~250℃)的烘箱或熱板上均可謂之烘烤。隨其目的不同，可區分為軟烤(Softbake)與預烤(Hardbake)
Softbake：軟烤，其使用時機是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發去除，并且可增加光阻與芯片的附著力
Hardbake：預烤，又稱為蝕刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻(wetetching)更為重要，預烤不常會造成過蝕刻
BarrierLayer阻障層：為了防止鋁合金與硅的的接觸界面發生尖峰（spiking）現象，并降低彼此的接觸電阻，在鋁合金與硅之間加入一層稱為阻障層的導體材料，常見的有Ti/TiN及TiW
Boat：晶舟
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)：為硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow溫度，并且P吸附一些雜質離子，流動性比較好，作為ILD的平坦化介質
USG：沒有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。
BufferLayer緩沖層：通常此層沉積于兩個熱膨脹系數相差較大的兩層之間,緩沖兩者因直接接觸而產生的應力作用。我們制程見的緩沖層即SiO2，它用來緩沖SiN4與Si直接接觸產生的應力，從而提升Si3N4對Si表面附著能力。
Chamber：真空室，反應室
Al Bond Pad: Create a bond pad for packaging purposes
潔凈室：又稱無塵室。半導體加工的環境是高凈化空間，恒溫恒濕，對微粒要求非常高。常用class表示等級（class1即一立方米直徑大于0.5微米的微粒只有一顆）。
Deposition Rate：沉積速率，表示薄膜成長快慢的參數。一般單位A/s
Copper Line：銅線
Die：晶粒，一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒
Dielectric介電材料：介于導電材料之間的絕緣材料。常用的介電材料有SiO2,Si3N4等
Diffusion擴散
DIWater去離子水
Drypump：干泵，主要的特點是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨使用
Electromigration：電子遷移，在電流作用下的金屬。此系電子的動量傳給帶正電的金屬離子所造成的
ETCH：蝕刻其制造程序通常是先長出或蓋上一層所需要的薄膜，再利用微影技術在這層薄膜上，以光阻定義出所欲制造的電路圖案，再利用化學或物理方式將不需要的部份去除，此種去除步驟，便稱為蝕刻(ETCH)
FourPointProbe：四點測針，是量測芯片片阻值(SheetResistance)Rs的儀器。
FTIR：傅氏轉換紅外線光譜分析儀
GateValve：閘閥，用來控制氣體壓力的控制裝置。
GateOxide：閘極氧化層
GrainSize：顆粒大小
Hillocks：小凸起
HPM：HCl+H2O2+DIWater混合液體的簡稱，常用來去除移動金屬離子。
ILD：Inter-LayerDielectrics內層介電材料，層金屬層與Si底材之間的介電層，我們常用的是BPSG.
IntrinsicStress：內應力
ExtrinsicStress：外應力
IonImplanter：離子植入機
IonSource：離子源
LPCVD：LowPressureChemicalVaporDeposition,即低壓化學氣相沉積。
LDD工藝(輕摻雜漏)：在漏極與溝道之間形成很一層很薄的輕摻雜區，降低漏極附近峰值電場強度，消弱熱載流子效應。
Mask：光罩，在微影的階段中，必要的線路或MOS電晶體的部分結構，將被印制在一片玻璃片上，這片印有集成電路圖形的玻璃片稱為光罩（Mask）；在離子植入或LOCOS氧化時，上面會有一層氧化層或SiN層作為幕罩（Mask），以降低離子植入時的通道效應或氧化時的阻擋。
MFC：質流控制器
OCAP：OutofControlActionPlan，制程異常處理程序
OhmicContact：歐姆接觸，金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(Activeregion)而不在接觸面
PR：光阻（PhotoResist）
PVD：物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition）
TIM ：Top Inner Magnet，頂部內磁鐵
TOM ： Top Outer Magnet，頂部外部磁鐵
BIM ：Bottom Inner Magnet，底部內磁鐵
BOM ：Bottom Outer Magnet，底部外部磁鐵
ECP：電化學電鍍（Electrochemical Plating）
ALD：原子層沉積（Atomic Layer Deposition）
WCVD：Tungsten (Wolfram) Chemical Vapor Deposition
MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition
PLD：Pulsed Laser Deposition
IMD：Intermetal Dielectric
RPC：Reactive Preclean
PinHole：針孔缺陷類型
CMP：ChemicalMechanicPolishing，化學機械研磨
Recipe：工藝程式
Reclaim：再生硅片，測試硅片上的粒子與晶層經過蝕刻與磨平程序，可重新回收賣給晶圓廠使用
Reflow：再回流
Reliability：可靠性
RTP：快速熱制程
Scanner：掃描裝置
Silicide：金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物
Salicide：自對準金屬硅化物(Self-AlignedSilicide)
SEM：Scanning Electron Microscope掃描式電子顯微鏡
Scrubber：刷洗機
SheetResistance：片電阻
SPC（StatisticalProcessControl）：統計，過程，控制英文的縮寫，是一種質量管理方法
SPEC（Specification）：規范界限
Spike：尖峰
Void孔洞：是一種材料缺陷，會影響材料的致密性，從而影響強度。當對表面有階梯的晶片進行膜層沉積時，因為沉積角度不同等因素，導致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無法填入洞中，極有可能造成孔洞
STR：Stress，應力，對固體物體所施與的外力或其本身所承受的內力，稱為'應力（stress）'.
REF：Reflect 反射率
THK：Thickness 薄膜厚度
RS：Resisitance 電阻
PA：Particle 顆粒
DN：Defect Notice 缺陷通知報告
GOF：Goodness Of Fit 擬合度
EDC：Electronic Data Capture 電子數據采集
SOI(Silicon on Insulator)：超薄絕緣層上硅技術
TEOS：四乙基正硅酸鹽，含有硅與碳、氫與氧的有機硅源，化學分子式是Si(OC2H5)4，其沸點較高，常壓下約（169℃）。在CVD制程的應用上，TEOS在足夠的溫度下TEOS進行反應而產生二氧化硅
熱電偶（Thermocouple）：測量溫度之用。有兩根不同材質的探頭放入被測環境中，得到電壓值，再將電壓值轉變為溫度值。
Tungsten：鎢
低真空（LowVacuum)760-1torr
中真空（MediumVacuum)1-10-3
高真空（HighVacuum)10-3-10-7
真空（UlteaHighVacuum)10-7~10-10
Uniformity：均勻性
UpTime：使用率，表示機臺可以run貨的時間，包含run貨的時間及機臺lost時間，即除down機時間
Via：金屬與金屬之間的通道
Yield：良率，即合格率，合格的產品占總產品的比例。
Fabless：指沒有制造業務、只專注于設計的一種運作模式。Fabless 公司負責芯片的電路設計與銷售，將生產、測試、封裝等環節外包
Foundry：圓晶代工模式、專門負責生產、制造芯片，不負責芯片設 計，可同時為多家設計公司提供服務
IDM：Integrated Device Manufacturer，指垂直整合制造工廠，是集芯片設計、芯片制造、封裝測試及產品銷售于一體的整合 元件制造商，屬于半導體芯片行業的一種運作模式
EPI：Epitaxy外延片
Lot：若干個晶圓組成的一個批次叫Lot
LOCOS(Local Oxidation of Silicon)：硅局部氧化工藝
NPW：非產品片的總稱，包括:結構片、監控片（Monitor）、QC片、Season暖機片、Dummy片
Season片：機臺啟動后，投個Season片進行暖機
STI(Shallow Trench Isolation)：淺溝槽隔離
offline：與Lot加工處理不相關的定義為offline，比如設備PM、NPW的處理過程、輔助工具的處理過程的一些數據監控
Inline：與LOT加工直接相關的或者是監控LOT的參數屬于Inline。
OOC/OOS：針對規格或控制圖的兩對控制線
VMS：(virgin makeup solution)
操作類：
Batch：若干個lot和NPW組成的集合
Hold：把片子鎖住不讓往后流片，執行此動作的系統是MES
splits：分批
Release：解鎖，片子可以繼續往后流
Future hold：提前設置好片子要Hold在未來的哪個工序
issue：產線出現的問題
Run：設備正在Run, 產品Lot
BKUP：Run_Foundry Lot，設備正在Run, 其他廠的Lot
TEST_CW：Run_NPW，設備正在Run, 控擋片Lot: C、D、Y、Z、V
TEST：借機, DOE, SRC等，設備可供Run, 但工程師通過向MFG借設備做工程實驗/調整Recipe/或MFG follow SRC…等
IDLE：閑置，設備可供Run, 但因無WIP或其他間接物料可Run
SUSPEND：延緩，設備可供Run, MFG為了某些特殊原因而閑置, 如Q-Time管控, 空機等Key Lot…等）
MON_R：Daily Monitor，依據OI規定進行設備可靠性常規檢查(Daily Monitor)
PM：預防保養，預防定期維護(維修保養)
MON_PM：PM后Monitor，預防定期維護后的可靠性檢查(PM后Monitor)
DOWN：宕機，機臺異常, 無法正常生產
MON_DOWN：Down后Monitor，機臺異常修復后的可靠性檢查(Down后Monitor)
HOLD_ENG：PE異常確認，PE澄清, 產品異常確認, 停止設備Run貨(Defect…)
WAIT_ENG：等待PE/EE處理，設備顯示異常信息,等待工程部(PE/EE)處理
WAIT_MFG：等待MFG處理，等待制造部處理(PE/EE借機后, 交回MFG)
FAC：Facility，因廠務的水/電/氣/火…等異常引起Down機
CIM：IT，因MES/IT系統…等異常問題引起Down機
OFF：裝機，停機
系統類：
SRC：split run card
RRC：recover run card
MES：Manufacturing Execution System，生產執行系統，用于管理生產過程的IT系統，包括:對生產過程和物理設施的建模、過程監控和追溯等功能，對下連接EAP、橫向對接WMS、SPC系統和物流系統、對上連接ERP系統，也會和OA系統對接
FMEA：Fail Mode Effect Analysis
PRS：Process Release Standard
TRS：Tool Released Standard
STR：Special Test Request
MSTR：Mass Special Test Request
T0：Tier0 mean Pre-hook and hook up
T1：Tier1 means hardware installation and BKM test
T2：Tier2 means standard process tuning
T3：Tier3 means to go qualification lot or condition release
組織會議類
OP meeting：跨部門的生產會議
PP：生產計劃
IE：工業工程師
MFG：制造部
YE：缺陷改善工程師
PE：工藝工程師，簡稱工藝
PIE：制程整合工程師
TD：技術研發部門
ECN：臨時工程變更通知
DRB：Disposition Review Board，針對lot，比如超Spec了往下放就要開drb進行追蹤
EAR：Event abnormal review:重大的品質事件
MRB：material review board，重大物料異常
Fab 生產指標名詞
PN（Prior Notice）：料號，不同供應商，不同材料參數的襯底會有不同的料號，和Raw material一樣的意思，站在供貨方角度叫PN，站在收貨方角度就叫原材料
Cycle Time (C/T, Day Per Layer)：(每層)生產周期，產品在經二道黃光制程之間所花時間
Move (Stage, Step(m/c),Location)：晶片移動量
T/R (Turn Ratio)：(在制品)周轉率，每片晶片平均每天所跑過的Stage數
Wafer Out ( Wafer Start --> QC Inspection --> W/H)：晶片產出量，經由OQA 檢驗合格由FAB出貨的晶片數量
FAB_Yield：整廠良率，工廠的產出晶片良品數量與投入生產之晶片數量的比率
Wafer Acceptance Test Yield：電性合格測試的合格率
Move/Manufacturing Assistant-Hour：每人工小時的晶片移動量(生產力)，每名MA每工作小時平均所產生的晶片移動量
OTDO (On-Time Delivery for Order）：工廠準時交貨率，工廠依照PC&IE訂定的出貨日程提早或準時出貨的能力
OTDV (On-Time Delivery for Volume)：工廠產量達成率，工廠依照P&IE訂定的每月交貨量出貨的能力
Control wafer usage：控片使用率，平均每生產一片晶片所需使用的控片數量
Auto operation ratio：自動操作比例，系統預約operation的比例
Sampling ratio：抽樣率，產品量測之比例
WPH（Wafer Per Hour）：機臺每小時晶片產出量
Uptime：設備時間稼動率，設備的實際可使用時間所占比例
Utilization：設備性能稼動率，設備在可使用時間范圍實際用于生產的時間所占比例
Effi% loss：設備產出效能損失，設備的實際產出與理論產出的差異
Rework（RWK）：產品重工率，反映產品按照既定recipe、機臺產出既定規格產品之水平
OEE（Overall Equipment Efficienc）：設備綜合效率，設備負荷時間內實際產出與理論產出的比值
F-CLIP（Fab-Confirmed Line Item Performance）：工廠準時交貨率，工廠依照生產企劃部訂定的出貨日程提早或準時出貨的能力
F-CVP（Fab-Confirmed Volume Performance）：工廠產量達成率，工廠依照生產企劃部訂定的每月交貨量出貨的能力
AOQ（Average Outgoing Quality）：平均出貨水準，無暇疵產品的比率
