KANOMAX環(huán)境測試儀6531在電子半導體制造設備中的環(huán)境監(jiān)測

在半導體、光電子及微納制造等高精密加工行業(yè)中，晶圓的涂膠、顯影、清洗等關鍵工藝需在ISO Class1級高度受控潔凈環(huán)境中完成傳輸與處理，此過程中任何微小的氣流擾動（如局部渦流、風速突變）或風速異常（過高或過低），都可能引發(fā)嚴重問題——風速過低會導致潔凈區(qū)域污染物無法及時清除，增加晶圓表面污染風險；風速過高易吹動晶圓表面光刻膠涂層，造成圖案變形或缺陷；氣流擾動還可能干擾晶圓機械傳輸精度，甚至引發(fā)設備卡滯故障，這些問題最終會直接影響產(chǎn)品良率（可能導致良率下降10%以上）與工藝穩(wěn)定性。



因此，在設備腔體內部開展精確、可重復、實時性的風速監(jiān)測，成為保障工藝一致性、驗證設備性能是否達標及排查潛在風險的核心手段之一，而環(huán)境測試儀6531正是滿足這一核心需求的關鍵設備。
測試流程
為驗證晶圓傳輸通道內的氣流狀態(tài)是否符合工藝要求，采用高精度多參數(shù)環(huán)境測試儀6531，對以下關鍵參數(shù)進行同步測量。
環(huán)境條件：
測試需在恒溫恒壓、ISOClass1級潔凈環(huán)境中進行，可避免外部微粒干擾檢測，測試前需完成系統(tǒng)自凈與平衡。



風速范圍：
涂膠/顯影類設備（涂膠機、顯影機、噴膠機）
此類設備在加工過程中需完成光刻膠涂覆、顯影液噴涂等精細操作，光刻膠涂層厚度通常以微米級計量，氣流速度過快會導致涂層表面產(chǎn)生波紋、邊緣堆積等缺陷，過慢則無法及時帶走涂膠/顯影過程中揮發(fā)的溶劑蒸汽，易致晶圓污染。因此風速需嚴格控制在0.3–1.0m/s，且需保證氣流在腔體橫截面內分布均勻。
清洗類設備（去膠機、單片清洗機）
清洗時需用化學試劑（硫酸、氫氟酸等）或高壓噴淋除膠層、雜質，過程中會產(chǎn)生化學蒸汽與微粒碎屑。風速不足易使污染物附著，導致清洗不徹di；風速過高則會吹亂噴淋水流，或讓殘留試劑快速揮發(fā)形成結晶污染。故風速設定為1.0–1.5m/s，既能高效除污染物，又能維持腔體氣流穩(wěn)定，不干擾清洗工藝。
溫濕度：
溫度過高使光刻膠粘度下降、溶劑揮發(fā)快，影響涂膠均勻性；過低則降低清洗試劑活性，清洗效果變差；濕度過高易致設備金屬銹蝕、電氣短路，過低則產(chǎn)生靜電，吸附微粒污染晶圓。因此溫度需控制在25℃、濕度50%RH左右。
壓差：
內壓過低，外部含塵空氣會滲入污染；過高則可能導致腔體密封件變形、氣流異常，影響設備運行。不同設備壓差要求不同：涂膠機、顯影機密封性強，需穩(wěn)定氣流，壓差通常5–50Pa；去膠機、單片清洗機需加快揮發(fā)性氣體排出，壓差50–200Pa。總體壓差范圍1–200Pa（視設備類型定）。
測試方法：
1、采用網(wǎng)格布點法：參考ISO 14644-3標準，將FFU出風面劃分為至少3×3或4×4的等面積網(wǎng)格；網(wǎng)格中心為采樣點，同時包含高效過濾器排風口下方、腔體角落、晶圓傳輸路徑上方等關鍵區(qū)域。取測試截面的平均風速，判斷是否符合要求。



2、調整6531探頭使其正對來風方向，測點距離FFU出風面 15~30cm（視設備機臺內情況可做調整）。
3、調整6531探頭至每個網(wǎng)格中心點位置，建議每次測量時間應≥10秒，多次測量，取風速數(shù)據(jù)的平均值進行記錄。
4、結束測試，對采集的數(shù)據(jù)記錄進行計算分析。
注意：測試時設備應保持良好的密封性，避免因測試過程中腔體密封不良改變FFU出風的氣流大小及流向，影響測試結果的可信度。



測試效果：
實測表明，環(huán)境測試儀6531可精準驗證潔凈腔體氣流穩(wěn)定性，有效保障高潔凈工藝環(huán)節(jié)的晶圓傳輸安全與工藝一致性；同時，其多參數(shù)同步監(jiān)測與長期數(shù)據(jù)積累為設備調試、驗收及維護提供了可靠依據(jù)，顯著提升了產(chǎn)線良率與運行效率。
儀器性能及應用
智能型環(huán)境測試儀65Ser，風速、風量、溫度、濕度、壓力同時測試，可輸入管道截面的形狀及尺寸從而計算出風量，測試數(shù)據(jù)保持功能、統(tǒng)計計算（平均值、最大值、最小值），數(shù)據(jù)最多存儲20,000個，8種探頭可供選擇，探頭互換兼容。



KANOMAX環(huán)境測試儀65Ser廣泛應用于通風測試、實驗室控制、潔凈室檢測、IAQ評估、工業(yè)衛(wèi)生、質量控制等，保障工藝安全與產(chǎn)品質量。