氧化釩與非晶硅探測器的區(qū)別

氧化釩和非晶硅的相同點(diǎn)：

1、生產(chǎn)的工藝相同

微測輻射熱計(jì)技術(shù)與CMOS工藝兼容，能夠與CMOS讀出電路單片集成，可基于半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，是非制冷紅外焦平面探測器的主流技術(shù)。

2、薄膜種類相同

氧化釩薄膜與非晶硅薄膜都是半導(dǎo)體熱敏薄膜，薄膜TCR與電阻率都成正比關(guān)系。

非晶硅較氧化釩有四個明顯優(yōu)勢，首先，是熱響應(yīng)時間只有氧化釩時間的一半，特別適合主要針對一些運(yùn)動物體，比如說快速移動的車流和的導(dǎo)引頭等；其次是工藝兼容性好，便于找相關(guān)的代工廠家，也不會對生產(chǎn)線進(jìn)行沾污，代工成本比較低。第三由于均勻性更好，可以往大面陣上發(fā)展；其次，氧化釩穩(wěn)定性不太好，產(chǎn)品使用期限相對較短，早期的壞點(diǎn)也較多，容易造成測溫不準(zhǔn)。

氧化釩和非晶硅的不同點(diǎn)：

1.成像原理不同

氧化釩探測器一個像元就是一個精確的溫度，多晶硅薄膜由于材料生長的特性，對溫度的變化相對不敏感，但隨著軟件算法的發(fā)展，可以通過圖像算法程序做一定程度的彌補(bǔ)。通過圖像算法把N*N（N≥2）個像元的平均溫度作為一個測溫值，臨近區(qū)域給出一個模擬的人工數(shù)值。

2、 薄膜沉積方法

氧化釩薄膜采用反應(yīng)濺射沉積方法制備，需要對標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝PVD設(shè)備進(jìn)行改造，引入O2作為反應(yīng)氣體，實(shí)現(xiàn)薄膜氧化。

非晶硅薄膜采用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法制備，需要對標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝CVD設(shè)備進(jìn)行改造，引入H2作為反應(yīng)氣體，實(shí)現(xiàn)薄膜摻氫工藝。

3、薄膜性能指標(biāo)不同

薄膜性能指標(biāo)不同（主要包括TCR電阻溫度系數(shù)、1/f噪聲系數(shù)、電阻率與電阻均勻性）

氧化釩薄膜與非晶硅薄膜都是半導(dǎo)體熱敏薄膜，薄膜TCR與電阻率都成正比關(guān)系。

4、器件技術(shù)指標(biāo)

氧化釩的指標(biāo)為20-30mk， 非晶硅的50-60mk，在實(shí)際使用中，不要輕易根據(jù)這個指標(biāo)來判斷好壞，要根據(jù)實(shí)際的使用需求選擇。在低溫段同時只需要成像的且畫面中沒有明顯溫度相對高的物體用氧化釩，如果是需要熱成像同時測溫的時候可以選擇非晶硅， 如果成像的但是畫面中也有高溫或者相對物體有溫差較大的也可以用非晶硅，效果也較好。

縱觀紅外市場，氧化釩（VOx）與非晶硅（α-Si）都得到了廣泛應(yīng)用。氧化釩技術(shù)早期主要掌握在美國幾大軍火手上，如紅外技術(shù)的DRS、雷神、BAE等都是采用氧化釩方案，多應(yīng)用于等對成像質(zhì)量要求比較高的領(lǐng)域；非晶硅比較有代表性的是法國Ulis，在民品普通領(lǐng)域，非晶硅以較低的成本擁有一定的，同時大幅推進(jìn)了紅外探測器在民品市場的廣泛應(yīng)用。

總結(jié)需要測溫型的紅外熱像儀推薦非晶硅探測器，如果是僅僅夜視用的考慮經(jīng)濟(jì)成本的可以考慮氧化釩探測器的紅外熱像儀。