【儀表網 儀表研發】中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光物理聯合實驗室在高損傷閾值液晶器件研制方面取得進展，研究人員使用氮化鎵代替氧化銦錫(ITO)作為導電膜制作液晶光開關，在保證其開關性能的基礎上，將液晶器件的損傷閾值提升至高于1J/cm2。相關成果發表于Optics Letters。
液晶光學器件，尤其是液晶空間光調制器作為一種能夠實時、動態地控制光場振幅、相位、偏振態的光學器件，已在慣性約束聚變大型激光裝置、激光加工、激光通信等領域得到應用。特別是激光加工、激光通信等領域，隨著激光功率增大，對于器件的高損傷閾值特性有著迫切需求。目前器件中氧化銦錫(ITO)導電材料的激光損傷問題，限制了該類器件的進一步廣泛應用。
針對以上問題，研究人員注意到氮化鎵材料在具有成為透明導電膜材料潛力的同時，其激光損傷閾值高于ITO材料，進而通過將氮化鎵材料替代ITO應用于液晶光開關的透明導電層部分，在保證了其開關性能的同時，成功提高了液晶光開關的激光損傷閾值。結果表明，氮化鎵作為液晶光學器件的導電膜材料具有巨大潛力，尤其是未來在液晶空間光調制器中具有廣泛的應用前景。
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